当社は真空技術と排ガス処理技術の両分野において高い信頼と実績を築き上げて参りました。当社はPOU 処理の為に多様な排ガス処理装置を供給しています。半導体プロセスで使用される多くの種類のガスを安全に処理する為に最適な排ガス処理装置をご提供致します。
実績のある真空ポンプと排ガス処理装置を統合化(ZenithConcept)し、ドライポンプ(最大8台)・配管・排ガス処理装置を一元管理します。それにより、プロセス装置からの排気ガスを効率よく安全に処理することが出来ます。
半導体プロセス特にCVDプロセスの排気および除害システムとして
プラズマを利用してPFCガスを効率よく分解除害します。プラズマ除害と排気ポンプを一つのユニットに纏めたZenithシステムです。
酸化膜エッチおよびポリシリコンエッチ用
CVD プロセスの効果的な排ガス処理は、成膜ガスとその副生成物(粉体)を処理する能力を備えている必要があります。またクリーニングガスに使用されるPFC ガスも地球温暖化ガスで、適切な方法で処理すべきです。排ガス処理装置は、一台の完全なユニットでそうした条件を満たす必要があります。
製膜プロセスガスおよびエッチングガス除害
実証済みの多孔質セラミック燃焼技術を用いた燃焼式排ガス処理装置で、特に低圧エピタキシおよびMOCVDなどの水素流量の高い排ガスを除去するための開発された画期的な排ガス処理装置です。
低圧エピタキシおよびMOCVD除害
CVD プロセスからの排ガスを電気ヒータと3 ステージのスクラバにより効率良く処理します。
PECVD TEOS、BPSG、Oxide、 PECVD ナイトライド、タングステンCVD、 LPCVD
PFCを処理する必要のないアプリケーションでは、GRC排ガス処理装置をご使用ください。GRC は多様な半導体プロセスで使用される様々なガスを処理します。具体的には、GRC はメタルエッチングで生じる有機塩素系副生成物を安全に取り除く、唯一のPOU排ガス処理装置です。
エッチングプロセスガスおよびハロゲン系ガス