ロータは磁気浮上ベアリングによって完全に支えられているため、ロータとステータ間は非接触です。超低振動だけでなく、接点の排除によってベアリングの摩耗がなく、それに伴うポンプのメンテナンスも不要です。

UHVシリーズ：

磁気浮上ターボ分子ポンプのUHV（超高真空）シリーズは、半導体、表面科学、または高エネルギー物理業界にとっての選択肢です。他に類を見ない信頼性、性能、クリーン性、および業界トップの低振動性を発揮します。本ポンプはすべてDC電源で作動し、バッテリが不要で、ハーフラックコントローラ（自動チューニングおよび高度診断機能搭載）により作動します。このポンプレンジには300 L/s〜1000 L/sの排気速度があり、どのモデルにもISOまたはCFフランジバージョンが取り揃えられています。

Hシリーズ：

磁気浮上ターボ分子ポンプのH（ハイスループット）シリーズは、半導体エッチング、イオン注入、LCDシステムの現行世代に必要な高ガスフローを実現します。どのポンプも5軸制御磁気ベアリングシステムとDCドライブを備え、耐久性と安定性が向上しています。ホルウェックステージを用いて先進の排気量性能を実現しています。ハーフラックコントローラ（自動チューニング、先進診断機能および内蔵温度管理システム搭載）を介して作動します。このポンプの排気速度は、300 L/s〜1300 L/sです。

Aシリーズ：

磁気浮上ターボ分子ポンプのA（アドバンストハイスループット）シリーズは、半導体エッチングとCVDプロセスの次世代に必要な最高水準の排気量を発揮するよう設計されています。これらのポンプは、信頼性が極めて高く、高性能のHシリーズをベースにし、たゆまぬ改善を重ねて開発されました。高度なロータデザインと最高の素材の採用により、多くの既存モデルと設置面積が同一の高排気量ターボポンプの次世代ポンプとして誕生しました。このポンプの排気速度は、1300 L/s〜3500 L/sです。

オイルフリー：

すべてのSTPターボ分子ポンプはオイルフリーです。磁気ベアリングの使用により潤滑剤が不要になり、真空プロセスのターボ分子ポンプによる汚染が解消されました。これは、（デバイスの数が常に増え続けている）半導体業界、表面科学、または（わずかな汚染であっても測定値が不正確になる）高エネルギー物理学アプリケーションにとって不可欠です。

メンテナンスフリー：

従来のメカニカルベアリングと異なり、磁気浮上方式では摩擦接触が無いため、摩耗源と振動源が存在しません。これによってSTPターボ分子ポンプは事実上メンテナンス不要で何年も作動し、年間のランニングコストが最低限に抑えられ、最大限の可動時間を実現できます。メンテナンスフリー機能は、化学物質生成プロセスまたは放射能汚染が生じるプロセスで特に有益です。

振動フリー：

ロータの磁気浮上により騒音と振動が極めて低水準になります。ピーク間振動レベルは、0.02 _m以下です。この騒音レベルはポンプの寿命が尽きるまで一定で、厄介な低調波と無縁です。

自動バランシング・システム（ABS）：

ABSは、特許取得済みの独自開発の5軸制御技術です。ロータのバランス不良が生じると（たとえばプロセス副生成物の堆積が原因）、ポンプ内のセンサがロータの動きの変化を検出し、ロータを自然な慣性軸上で回転させるよう磁気ベアリングの磁界を補正します。それによりインレットフランジに伝わる振動が最低限になります。ABSはポンプの全回転域で作動します。

保護用ドライベアリング：

STPポンプは、安全のためのバックアップベアリングとしてドライ潤滑アキシャルおよびラジアル・メカニカルベアリングを備えています。それらのベアリングは、磁気サスペンションが完全に中断されるか、磁気ベアリングの強度を超える大量の空気が流入したときにロータを補助し、ポンプを保護します。そうした高精度ボールベアリングはドライ潤滑され、通常の作動時はロータと接触しません。

最適化されたロータ：

UHVポンプ内のマルチステージ・ピュア・ブレード・ロータは、CD SEM、質量分析計、イオン注入装置上のビームラインに必要は高真空を実現します。優れたライトガス圧縮比で最適な排気性能を発揮します。

複合回転翼ロータ：

ハイスループットターボポンプでは、低圧におけるスループットを増大させるホルウェック・ドラグステージが採用されています。

Aシリーズ複合回転翼ロータ：

A（アドバンスト）シリーズは再設計された複合回転翼ロータを備えています。また、ポンプ内のクリアランスを低減するために素材に改良を加え、ロータに高度な3次元設計を取り入れ、ホルウェック・ステージを再設計してさらにスループットを高めました。

耐腐蝕性：

高水準の耐腐食性を実現するために、耐蝕型（C）およびハイスループット（H-C）ポンプにはニッケルコーティングロータ／ステータと、イオン注入とプラズマエッチングに適したポンプ内部部品が採用されています。

窒素パージ：

耐蝕型（C）ポンプとハイスループット（H-C）ポンプは窒素パージ機能を備え、ポンプ内を常に流れる窒素が腐蝕性ガスを希釈し、ポンプモータとセンサコイルの腐蝕を最小限に抑えます。

TMSシステム：

当社の温度管理システムは、多様なターボポンプに対応しています。ポンプ内の温度を最適化するよう設計されており、内部の副生成物の凝縮を劇的に減少させます。それにより過酷なプロセス条件下でのポンプの性能が著しく向上するだけでなく、運転寿命を延ばします。

半導体製造装置：

STPターボ分子ポンプは、半導体エッチングおよびイオン注入装置製造分野の世界的なリーダーにとっての第一の選択肢です。本ポンプは最も過酷なアプリケーション（メタル・エッチング等）に使用され、最高の信頼性を発揮します。
・メタル（アルミニウム）、タングステン、誘電体（酸化物）、ポリシリコン用プラズマエッチング（塩素、フッ素、臭素系）
・エレクトロンサイクロトロン共鳴（ECR）エッチング
・薄膜作製CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
・スパッタリング
・イオン注入ソース、ビームライン、エンドステーション排気
・MBE
・拡散
・フォトレジスト剥離
・クリスタル／エピタキシャル成長
・ウェーハ検査
・ロードロックチャンバ排気

サイエンスアプリケーション：

STPポンプは最先端の研究開発機関で広範に使用されています。本ポンプは厳格な性能基準値と信頼性期待値を満たします。以下のアプリケーションにも使用されています。
・科学機器： 表面分析、質量分析、電子顕微鏡検査
・高エネルギー物理学： ビームライン、加速器
・放射線アプリケーション： 核融合システム、サイクロトロン